Guohan Hu氏（IBM T. J. Watson Research Center, Distinguished Research Scientist）によるセミナーを開催いたしました

Guohan Hu氏(IBM T. J. Watson Research Center, Distinguished Research Scientist)をお招きし、”STT-MRAM – Status and Outlook”というタイトルでセミナーをしていただきました。

Hu氏は、スピントロニクス、とくにMRAMに関する研究で先駆的な成果をあげてこられました。本セミナーでは、STT-MRAMについて、基礎的なところから最近の発展まで解説をしていただきました。

◆Date ：2023/5/16 (Tue) 10:30-12:00
◆Place：ハイブリッド、理学部4号館1320室
◆Presenter：Guohan Hu 様

Spin-Transfer-Torque (STT) MRAM is an emerging memory technology with unique combination of non-volatility and high write endurance, owing to the spintronics nature of its switching mechanism.

STT-MRAM has been in production for standalone memory [1] since 2018 and eFlash-replacement applications [2] since 2019 by successfully combining magnetic tunnel junctions with CMOS technology.

This talk will first give an overview of the development of STT-MRAM technology, its status, and the technology outlook.

The second half of the talk will focus on materials innovations that enabled today’s STT-MRAM technology and the remaining challenges to further expand its application space. 

[1]   S. Aggarwal, et al., Proc. IEDM Tech. Dig., p. 18 (2019).
[2]  E K, Lee, et al., Proc. IEDM Tech. Dig., p. 22 (2019).